王建旭教授は、従来のシリコンを基盤とする半導体素子の高集積度で発生する量子干渉効果の問題、トンネル効果、不安定なトッピング、加熱現象などでは予測できない不安定な駆動特性などを解決するための課題を設定した。

従来とは全く違う垂直型分子トランジスターを製作し、これを基盤とする論理素子(NAND/NOR、インバーター)を世界初で実装することを目指している。

これは活性層で二次元物質と分子素材を利用し、接合長さがSub-5nmスケールの分子－スケールの垂直型トランジスタを開発するもので、垂直型分子トランジスターのフラットフォーム技術になれる。

これを通じて低電力、超軽量化が求められる次世代電子素材の主要素材・素子として商用化できるとみられ、未来素子に対する源泉技術の確保とともに、分子電子工学の発展において重要な起点になると期待される。二次元の機能性電子素材を作ってきた部分を画期的に改善する非常にチャレンジングな課題で、実績と先行研究からみて実現可能性が高いと判断される。